论文部分内容阅读
随着科技的进步,电子设备向小型化、高度集成化的发展,需要磁性器件小型化和高频化,因此,在高频下应用的软磁薄膜成为软磁材料发展的必然方向,对这类膜的要求是高电阻率ρ、高饱和磁化强度Ms、高磁导率μ和适当大的面内各向异性场Hk,以便有效地抑制高频下的涡流损耗和提高铁磁共振频率fr(f,(?)),后者决定了薄膜在高频上应用的频率上限。稀土-3d过渡金属间化合物由于具有较大的饱和磁化强度、大的磁晶各向异性和磁滞伸缩而有望在高频应用中发挥作用。另外,由金属-绝缘介质组成的纳米颗粒膜同时集中了磁性金属的高Ms、