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石墨烯薄膜自发现以来便以其独特的电学性能、良好的力学性能、机械延展性、优异的热学稳定性与化学稳定性引起了广泛的关注。石墨烯是制备高性能导电薄膜的理想替代者，作为一种零带隙的半导体材料，石墨烯具有极高的载流子迁移率和特殊的传输特性，在场效应晶体管、太阳能电池、平板显示等领域具有很大的应用前景。本论文研究了石墨烯薄膜的有机薄膜晶体管的制备与其电学性能，主要研究内容和工作如下：（1）将利用化学气相沉积法（CVD）生长的高性能的单层石墨烯，通过转移和图案化后用作电极，成功的制备了底栅底接触的高性能的单层石墨烯薄膜作源漏电极的并五苯OTFTs。在金像显微镜下观察，得到了规整的清晰的石墨烯电极图案。分别以金和单层石墨烯作为源漏电极，热蒸镀并五苯制得底接触器件，电学性能研究表明，图案化的石墨烯电极展示的电学性能高于普通的金属电极。（2）研究了一种新的物理剥离图案化方法，替代传统的光刻方法来图案化石墨烯，且此方法同样适用于多种聚合物，例如PMMA、PS、PCL、P3HT等。通过这种图案化方法得到图案化的P3HT，进一步通过转移制得底栅底接触的P3HT-Au电极OTFTs器件。此图案化方法简单易操作。制得器件的迁移率达到6.66×10-3cm2V-1s-1，开关电流比超过103。（3）在制得单层石墨烯膜的基础上，用layer-by-layer的方法制备了不同层数的石墨烯薄膜，图案化后用作电极，制备了石墨烯电极的并五苯OTFT。实验结果计算得出，单层石墨烯电极并五苯器件的迁移率最大，达0.48cm2V-1s-1，开关态电流比均超过105。