【摘 要】
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采用直流磁控溅射制备YBCO外延膜,膜的Tc可达90k,TTK零磁场下的临界电流密度达到1×60A/cm.采用×RD、SEM等分析手段,研究了YBCO膜的晶体结构和表面形貌.结果表明,在一定的溅
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采用直流磁控溅射制备YBCO外延膜,膜的Tc可达90k,TTK零磁场下的临界电流密度达到1×60<6>A/cm<2>.采用×RD、SEM等分析手段,研究了YBCO膜的晶体结构和表面形貌.结果表明,在一定的溅射条件下,YBCO膜的表面平整度高,外延性好,膜和基片之间互扩散小.采用普通光刻结合离子刻蚀的工艺成功地制备了陡峭的台阶,保证了在台阶边缘处长出晶界.采用普通光刻和湿刻技术将微桥套刻在台阶上,从而制成了台阶结.对台阶结的R-T转变曲线,I-V特性曲线以及Ic-T关系进行了测量.在外加微波辐照下,台阶结的I-V曲线上可以观察到明显地微波感应台阶.初步测量结果表明,台阶结表现为单个晶界结的行为,并可以用RSJ模型近似描述.
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