【摘 要】
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本文简述了存储器的发展概况、种类和原理,并对PROM器件进行了研究,详细分析了PROM器件的结构、原理及可靠性。讨论了BiCMOS工艺技术的优势,及工艺流程。详细介绍了熔丝的材
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本文简述了存储器的发展概况、种类和原理,并对PROM器件进行了研究,详细分析了PROM器件的结构、原理及可靠性。讨论了BiCMOS工艺技术的优势,及工艺流程。详细介绍了熔丝的材料选择、结构尺寸、制作工艺等。并对封装、测试进行了说明。 本次PROM设计采用熔丝熔断型结构,其工艺简单,且熔丝结构独立于MOS结构。PROM工艺采用BiCMOS工艺技术,提高了器件的工作速度、减小了功耗。在工艺中,应用Nicon光刻机,提高了光刻质量;用多腔PECVD、卧式LPCVD等先进的CVD淀积设备,为提高工艺质量提供了条件;用磁控溅射机溅射熔丝薄膜、铝引线等;用反应离子刻蚀机进行刻蚀;用干法和湿法联合去胶;采用BPSG玻璃回流和牺牲层回蚀工艺进行平坦化,有效的改善了铝引线的质量;用二氧化硅和氮化硅复合层作为钝化层,提高器件的抗辐射能力。在设计上,用达林顿管作为电流放电器件;熔丝作在介质层上;利用双层布线技术;采用双向输出,减少了器件的管脚数,减小了封装尺寸;采用陶瓷封装,双列直插式。在整个制作过程中,不断积累数据,总结工艺成败,改进工艺,最终实现预期实验的目标。
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