【摘 要】
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材料的制备和元件的结构设计是研制半导体气敏传感器的关键环节。我们创新性地设计了一套实验装置,采用气相反应法,以纯钨丝为原料, 制备WO3 纳米气敏材料。采用XRD, SEM, TE
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材料的制备和元件的结构设计是研制半导体气敏传感器的关键环节。我们创新性地设计了一套实验装置,采用气相反应法,以纯钨丝为原料, 制备WO3 纳米气敏材料。采用XRD, SEM, TEM对材料进行结构分析和形貌观察, 发现WO3 材料的微观结构与气敏性能紧密相关, 材料的颗粒尺寸小, 表面粗糙不平, 有利于气体的吸附, 从而对气体更敏感。根据塞贝克效应的原理, 我们提出气敏传感器的一种新结构, 又以上述方法制得的WO3 纳米粉末为基材制作成元件, 这种新型元件能够输出数十毫伏的直流电压, 这对于信号的放大与处理十分方便。在实验中对NO2 气体进行检测,结果表明,当NO2 浓度为20×10-6 加热功率8.5W 时,传感器的灵敏度可达13, 响应时间为5s, 恢复时间为16s, 并且灵敏度随NO2 浓度而变化。因此, 利用塞贝克效应来探测气体是一条可行的新思路。
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