【摘 要】
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本论文采用磁控溅射技术在Si衬底上生长Ge纳米点。根据材料制备工艺的需求，针对工艺中的关键影响因素进行了系列探索实验。分析AFM和Raman对纳米点的形貌和晶体特性的检测结果
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本论文采用磁控溅射技术在Si衬底上生长Ge纳米点。根据材料制备工艺的需求，针对工艺中的关键影响因素进行了系列探索实验。分析AFM和Raman对纳米点的形貌和晶体特性的检测结果，获得制备Si基Ge纳米点的优化工艺参数。论文主要工作内容包括:
1、基于射频MS技术，研究在Si基片上直接制备Ge纳米点工艺中溅射压强对Ge纳米点形貌的影响。0.6Pa溅射压强条件下，获得密度为5.8×109cm-2，平均高宽比为0.04的Ge纳米点。结果表明:随着溅射压强增大，Ge纳米点的密度先增大后减小，其粒径则是成先增大后保持不变的趋势。
2、研究了在Ge/Si材料间加入化学氧化制备的超薄氧化硅层工艺，制备Si基Ge纳米点，探索研究超薄氧化硅对Ge点形貌的影响。经工艺优化获得密度为1.02×1011cm-2，平均高宽比为0.2的Ge纳米点。结果表明:通过对超薄氧化硅层上低温生长的Ge薄膜退火，可以将尺寸较大的纳米点转化为尺寸较小的岛状纳米晶。
3、研究一种低温生长原位高温退火制备Si基Ge纳米点的工艺。对该工艺中影响Ge纳米点形貌的关键参数进行优化，得到较佳工艺优化参数，获得密度最大为7.5×109cm-2，平均高宽比为0.41的高结晶性Ge纳米点。研究表明:通过低温生长高温退火的工艺技术，成功获得密度相对较大、尺寸均匀和大高宽比的Ge纳米点。
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