论文部分内容阅读
稀磁半导体特别是稀磁半导体的超晶格、量子阱中具有十分独特的磁光性质,其原因尚未完全清楚.目前研究得最为广泛的是Mn基Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体,以及由它参与构成的超晶格、量子阱结构.该文对ZnSe/Zn<,1-X>Mn<,X>Se、CdTe/Cd<,1-X>Mn<,X>Te、ZnTe/Zn<,1-X>Mn<,X>Te三个系列稀磁半导体超晶格的生长、光致发光谱、光调制反射谱及喇曼散射谱进行了研究.文中讨论了利用分子束外延方法生长样品,并且通过XRD、透射电镜等实验证实所生长样品具有良好的晶格结构及超晶格周期性,同时也验证了所采取的生长条件的可取性.其次,文中通过对阱、垒宽度相同,组分不同,及组分相同.阱、垒宽度不同的ZnSe/Zn<,1-X>Mn<,X>Se超晶格中光致发光谱的测量,对其中应力引起的一些特殊的现象进行了讨论,并给出了与实验相符合的理论计算结果.该文还阐述了对CdTe/Cd<,1-X>Mn<,X>Te、ZnTe/Zn<,1-X>Mn<,X>Te超晶格的光调制谱的测量,并在考虑应力效应的前提下对其结构进行了指认.此外,该文还对ZnTe/Zn<,1-X>Mn<,X>Te超晶格喇曼散射谱中应力引起的声子模频移进行了讨论,并观测到声子组合模及其在不同组分时的差异,以及直至三阶多声子过程.