铁电体/超导体集成薄膜的制备及界面效应研究

来源 :中国科学院物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:myeclipse75
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该论文研究了利用磁控溅射原位法在SrTiO<,3>(100)基片上制备高质量的pb(Zr<,0.53>Ti<,0.47>)O<,3>(PZT)薄膜及PZT/YBa<,2>Cu<,3>O<,7>(YBCO)集成薄膜的工艺,集成薄膜中的YBCO超导薄膜临界温度达85K以上.利用AFM观测了在相同厚度(500A)的YBCO薄膜上生长的一系列不同厚度(250A,500A,750A,1500A)的PZT薄膜的形貌,在初期生长阶段,PZT呈岛状生长,随着厚度增加,岛逐渐相连.用X射线掠入射方法研究了PZT与YBCO的界面,发现PZT与YBCO之间存在一个几十A的过渡层,此过渡层可以拟合为线性过渡区域.对集成薄膜的低温电容特性作了研究,发现在60KHz以上测量频率时在超导转变温度附近电容温谱有一个跃变,利用PZT/YBCO的界面效应和界面层的电容贡献来解释此现象.
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