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铁电材料具有很多优良特性,在多种领域有广泛用途,其中在存储领域及非制冷红外探测领域内非常具有应用前景.(Pb<,x>Sr<,1-x>)TiO<,3>(PST,钛酸锶铅)是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料,具有居里点可调、晶化温度低、介电常数和热释电系数大的特点.该课题是以高频磁控溅射工艺研制硅基底PST铁电薄膜及对铁电薄膜性能进行分析.研究靶材的烧结工艺发现:以较低烧结温度、较短烧结时间(烧结1100℃,两个小时)烧结制备出来的靶内应力小,柔性较好,溅射时不易破裂,可减少铅在烧结中的挥发,且溅射速率高.由于PbO的熔点较低,易挥发,PST靶中需加入过量的PbO,实验过加入过量5wt％、10wt％和20wt％重量百分比的PbO,发现过量5wt％和10wt％的靶都不能得到有电滞回线的PST铁电薄膜,只有加入过量20wt％的PbO的靶才能较稳定地溅射出有电滞回线的铁电薄膜.研究PbO气氛对ITO薄膜电极导电性能的影响,发现PbO气氛对ITO电极的导电性有较大的影响,ITO薄膜电极在PbO气氛中热处理后,其导电性有较大的劣变.因此在沉积PST之前要沉积LSCO作为阻挡层.利用PbO过量20％wt,成份为(Pb<,0.27>Sr<,0.73>)TiO<,3>的靶材,我们以高频磁控溅射的工艺在硅基底上制得了居里点较明显的薄膜试样.对550℃温度不同热处理时间的硅基底PST铁电薄膜进行XRD晶相分析、AFM表面分析及介电性能分析发现:热处理时间越长XRD衍射峰越强;从AFM照片来看试样热处理时间越长膜面晶粒越大,热处理8小时的试样晶粒已连成一片,但上面有孔洞,绝缘性能变差.对硅基底铁电薄膜试样进行介电频谱、介电温谱、电滞回线及开关电流测试.测得试样的介电常数为400~2000,测得试样饱和极化强度P<,s>为2.67~5.3 μ C/cm<2>,其矫顽场强为11~114kV/cm,试样的热释电系数P为5.2~9.41×10<-3>μ C/cm<2>·K.