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SnO2是一种宽禁带(3.6 eV)n型半导体材料。SnO2的性能与其形貌、晶体结构以及比表面等有很强的相关性，而纳米结构的SnO2由于其具有传统SnO2所不具备的特殊的形貌、结构、大比表面积等特性，导致了其新颖的光学、电学和气敏性能。 本文以制备检测特殊气体的气敏材料为目的，在对国内外研究现状进行了深入分析的基础上，基于材料制备工艺参数和气敏特性进行了的研究和分析，制备出了两种不同结构和形貌的纳米SnO2，并通过XRD、XPS、SEM、TEM和Raman等手段对其晶体结构、成分、晶粒尺寸和形貌进行了表征，得到以下结果: 1、采用简单的化学沉淀法能够合成出双相共存的一维SnO2纳米结构，通过控制烧结温度、烧结时间、升温速率等能够控制SnO2的晶体结构、尺寸和形貌，筛选出了合成具有不同四方相或正交相含量的纳米SnO2最佳工艺参数:烧结温度在400～600℃内可以获得正交相和四方相共存，且正交相含量随烧结温度升高而变化的一维SnO2纳米结构;烧结时间和升温速率影响SnO2的长径比。 2、采用水热法合成出的不同Zn离子掺杂浓度的SnO2纳米簇是由纳米棒锥堆积生长而成，而Zn掺杂浓度能够直接影响SnO2的相貌:Zn掺杂浓度小于15％时，为纳米棒组成的纳米花束，且随着Zn浓度的增加纳米棒长径比变大;当Zn掺杂浓度大于15％时，出现纳米方块，Zn足够多时会出现少量由纳米方块组成的纳米片花。 将制备的不同晶体结构和形貌的纳米结构SnO2作为气体敏感材料，制作成以旁热式结构气敏原件，对有毒有害气体气敏性能进行了研究，并对其气敏机理作了初步的探讨。 实验结果表明: 1、采用化学沉淀法制备的正交相含量最高的一维SnO2纳米结构在178～277℃温度范围内对异丙醇、丙内酮气体气敏性能最好，最佳工作温度为255℃，而纯四方相结构的650℃保温2h的一维SnO2纳米结构在277～325℃温度范围内对异丙醇、丙酮气体气敏性能最好，最佳工作温度为325℃。 2、采用水热法合成的不同Zn离子掺杂浓度的SnO2纳米簇，随着Zn离子掺杂浓度和工作温度的升高，其对甲醛的灵敏性能先升高后降低，当工作温度为162℃且掺杂浓度为35％时最佳，此时对2000 ppm的甲醛的灵敏度高达152.8，且对低浓度的甲醛有着较好的响应。