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【摘 要】
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该文采用MBE生长技术制备了高质量的InAs/InP量子点材料,并对其结构、光学性质等进行了深入系统的分析,取得以下主要成果.(1)在InP(001)衬底上设计了生长InAs纳米结构材料.(2
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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中国科学院半导体研究所
【发表日期】
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2001年期
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