【摘 要】
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目前，电子工业是世界上最大的工业，电子产品的全球销量年年攀升。超大规模集成电路技术是现代信息产业的基础，电路规模不断地增加，性价比不断提高，带动信息产业的各个领域发生了革
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目前，电子工业是世界上最大的工业，电子产品的全球销量年年攀升。超大规模集成电路技术是现代信息产业的基础，电路规模不断地增加，性价比不断提高，带动信息产业的各个领域发生了革命性变化。微电子中CMOS(complememary MOS)是构成超大规模集成电路的基础器件，而CMOS由成对的互补p沟道与n沟道MOSFET组成。MOSFET的特征尺寸已经进入超深亚微米的技术领域，传统的平面MOSFET结构将面临很多困难，如短沟道效应将会变得严重；较低的阈值电压下，既要获得较高的驱动电流，又要维持较小的关态漏电流。为了抑制短沟道效应以及实现CMOS驱动电流的匹配，新结构和新材料的MOS场效应晶体管器件相继被提出。
采用SiGe材料作为器件沟道的新型p-MOSFET比传统体Si p-MOSFET具有更高的空穴迁移率，这将有利于改善CMOS电路的高速性能和集成密度。过去的这些年来，SiGe材料的各个方面，如理化性质、载流子的输运、生长、器件及其电路，都得到了深入的研究。采用SiGe材料的场效应器件及其集成电路尽管获得了长足的发展，但是MOS器件仍然需要进一步深入研究。SiGe异质结场效应晶体管技术的发展对当前Si微电了技术的发展有着重要的作用。本文分别对体硅上Si/l应变Si1-xGex异质结、绝缘层上Si/Si1-xGex/Si异质结、短沟道SGOI一系列SiGe异质结p-MOSFET电学特性进行了二维数值模拟分析，研究了器件的输出特性、转移特性、闽值电压特性、准静念栅电容-栅电压特性等电学特性，一些模拟结果与文献中的实验结果能够较好的符合。Ge组分作为器件的基本参数，在本文中对其的影响也作了较为深入的讨论。模拟结果可能为SiGe异质结p-MOSFET器件材料、结构与工艺的优化设计提供一定的参考依据。
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