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该文用LPCVD方法制备了Si/GaN、SiC/Sapphire和Si/Sapphire大失配异质结构，并对这些结构进行了系统的研究，取得主要结果如下：1.通过低压化学气相淀积（LPCVD）在蓝宝石基GaN衬底上成功的外延生长了硅单晶薄膜.在外延层中发现有均匀的5﹪的代位式的N浓度分布.硅外延层载流子浓度为1.42×10<'18>cm<'3>，迁移率达到158cm<'2>/V·s.2.结合CVD法生长SiC的热动力学理论，对低压生长条件下SiC生长的最佳条件做了理论和实践上的探讨，成功地在1020℃的较低温度和较大氢气流量下在国内首次成功的蓝宝石衬底上直接生长出3C-SiC单晶薄膜.3.在准平衡态下外延，克服了一般在高温（>900℃）下非平衡生长可能带来的一些缺陷，在780℃的较低温度下、在蓝宝石上成功地进行LPCVD硅外延生长，得到了晶体质量较好的硅薄膜.