【摘 要】
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在光探测方面,作为红外热探测的硅基薄膜,具有资源丰富、成本低廉、大面积均匀性好的优点,且它还可同硅微电子集成兼容,已成为当今非致冷红外探测材料研究的热点.该文用电子
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在光探测方面,作为红外热探测的硅基薄膜,具有资源丰富、成本低廉、大面积均匀性好的优点,且它还可同硅微电子集成兼容,已成为当今非致冷红外探测材料研究的热点.该文用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜.通过改变衬底温度,固定镀膜时间,蒸镀了不同系列的非晶硅薄膜材料,得出在衬底温度为500℃时,非晶硅薄膜红外吸收系数较优化.为了获得高电阻温度系数(TCR)的薄膜材料,我们先对非晶硅薄膜进行不同剂量的Co离子注入,注入剂量从5×10<15>/cm<2>至1×10<17>/cm;后真空退火改性,退火温度分别从300℃到500℃.揭示了薄膜电阻温度系数随Co离子掺杂浓度和退火温度改变的规律.最后,利用正交试验法优化非晶硅钴薄膜的电阻温度系数,所测非晶硅钴薄膜的电阻温度系数最高可达到约-2.54％.
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