【摘 要】
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该论文从单壁碳纳米管和表面增强活性银膜的制备出发,系统研究了单壁碳纳米管的表面增强拉曼光谱.利用直流电弧等离子体法、采用Ce/Ni催化剂,制备了半导体性碳纳米管含量较高
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该论文从单壁碳纳米管和表面增强活性银膜的制备出发,系统研究了单壁碳纳米管的表面增强拉曼光谱.利用直流电弧等离子体法、采用Ce/Ni催化剂,制备了半导体性碳纳米管含量较高的单壁碳纳米管样品,并与激光烧蚀法制备的样品进行了比较;利用化学沉积银镜法和溶胶法制备了粒径范围在20~100nm的表面增强活性银膜.系统研究了不同基片(包括玻璃、白宝石和石英)、不同的银膜粒径对不同性质的单壁碳纳米管的D-band和G-band的影响.发现,G-band峰移和强度,D-band峰形均与基片相关.随粒径变化,D-band的峰形也随之变化,D-band的高频端贡献随粒径减小有增强的趋势.首次观察到D-band在白宝石、石英基片上劈裂成的两个小峰及其随激光能量密度的变化.分析了D-band变化的原因,解决了对D-band的归属.
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