【摘 要】
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Si基红外探测材料,特别是非晶SiGe薄膜,其均匀性好、成本低廉、并可同现代大规模微电子技术实现单片集成,是近年来红外探测材料研究的焦点.该工作采用电子束蒸发设备烧结出Si
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Si基红外探测材料,特别是非晶SiGe薄膜,其均匀性好、成本低廉、并可同现代大规模微电子技术实现单片集成,是近年来红外探测材料研究的焦点.该工作采用电子束蒸发设备烧结出SiGe合金靶材,又成功地蒸镀了不同系列的非晶SiGe薄膜材料.其衬底温度介于300℃-500℃之间,薄膜厚度介于0.5um-2.5um之间.非晶SiGe薄膜探测材料,最主要的是应具有高的电阻温度系数(TCR).为了获得高TCR的α-SiGe薄膜红外热探测材料,我们分别通过退火处理和离子束注入两种途径改性非晶SiGe薄膜.实验结果表明:电子束蒸发制备获得的α-SiGe薄膜材料,采用退火处理和离子束注入都能一定程度上提高非晶SiGe薄膜的电阻温度系数,TCR可达到约-1.7﹪~-3.4﹪.
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