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本文从不同方面对BF_2~-注入MOS管低剂量率辐照效应进行了深入的研究。首先，对有关辐照效应的理论进行了简要的叙述，介绍了辐照过程中氧化物陷阱电荷的产生过程以及界面态建立的一些模型，另外，还对低剂量率辐照效应以及BF_2~+注入加固MOS器件的机理做了回顾。在此基础上，对BF_2~+注入硅栅Si／SiO_2系统低剂量率辐照效应进行了深入系统的研究，着重研究了BF_2~-注入MOS管阈值电压漂移(ΔVth和ΔVit、ΔVot)与辐照剂量率、辐照总剂量、辐照温度、偏置电场、器件结构以及退火条件的依赖关系。借助界面态建立的H~+两步模型和F在栅氧化层中对抗辐照加固所起的作用对上述结果进行了深入的分析。此外，本文还开展了BF_2~+注入MOS电容低剂量率辐照效应的研究工作。