【摘 要】
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该论文开展了从外延材料到低电压微波功率器件的研制的一系列研究的工作.为了开发自有知识产权的产业资源,必须首先解决SiGe材料外延的困难.经过对高真空化学气相淀积设备的
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该论文开展了从外延材料到低电压微波功率器件的研制的一系列研究的工作.为了开发自有知识产权的产业资源,必须首先解决SiGe材料外延的困难.经过对高真空化学气相淀积设备的研究和生长方法的不断改进,成功的获得了器件级质量的外延材料,生长出了适于制作HBT的结构.系统的研究了生长条件(包括气体流量、温度、掺杂气体等)对外延层质量、厚度、组份、掺杂浓度的影响,进行了SIMS、DCXRD、SRP、TEM、RBS等材料分析,获得了对材料生长规律的认识.首先进行了小信号的低噪声器件的研制工作.根据无线通信的需要,设计了外延材料的结构;根据工艺状况,设计了双台面工艺.景终获得了性能良好的低噪声器件.其典型直流电流增益达到150左右,漏电小于2nA/μm<'2>.截止频率达到15GHz.在1.8GHz时,最小噪声系数为2.2dB.并且在VCO和DRO电路中得到应用,振荡频率超过6GHz.功率器件是无线和微波通信中研究的重点和难点.进行了功率器件的设计方面的理论研究工作,分析了材料结构和横向尺寸对各参数的影响,在此基础之上,结合低电压的特殊情况进行了纵向结构和横向结构的设计. 成功的制作出了可用于无线通信的低压SiGe功率器件.这在国内是首次报道.
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