双极型半导体器件高功率微波损伤研究

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本文主要以某典型模拟IC为对象,研究与其内部双极型晶体管同参数的单管。通过微波注入试验,研究BJT在HPM作用下的失效模式和失效机理。根据研究BJT模型参数的退化,研究微波对BJT的辐照效应。研究内容主要包括:利用PSpice对实际器件进行模型参数提取,并仿照测试条件进行电路仿真;对晶体管分别采用注入法和直接辐照两种方法进行微波损伤试验,讨论不同实验方法对器件影响的差异:对多叉指结构的双极型晶体管进行微波损伤实验,讨论不同结构器件的抗辐射特性;对性能退化的BJT进行模型参数分析,通过对比损伤前后的参数变化讨论微波对BJT的辐照效应;对失效单管进行失效分析,讨论BJT在HPM作用下的主要失效模式和失效机理。
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