【摘 要】
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锑化物异质结半导体材料如InAs/GaSb超晶格、GaInAsSb/GaAs量子阱、InAs/AlSb等具有独特能带结构、红外光谱响应波长范围宽、更低功耗、可实现大功率激光输出等优越性,成为目
【出 处】
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中国科学院研究生院 中国科学院大学
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锑化物异质结半导体材料如InAs/GaSb超晶格、GaInAsSb/GaAs量子阱、InAs/AlSb等具有独特能带结构、红外光谱响应波长范围宽、更低功耗、可实现大功率激光输出等优越性,成为目前国际上红外材料和光电器件研究的热点。近年来Sb化物材料和器件研究获得很大的进展,目前进一步提升这类材料和器件性能所面临的主要问题有能带结构优化设计、异质结材料界面和应变缺陷控制、掺杂等。本文系统的研究了GaSb基InAs/GaSb超晶格、GaInAsSb、AlGaAsSb、InAsSb材料,以及GaAs基InAs/AlSb HEMT结构的分子束外延生长、界面控制、掺杂优化等,采用原子力显微镜、透射电镜、光致发光谱等测试分析了材料性能。主要研究内容如下:
1、研究了晶格匹配中波红外InAs/GaSb超晶格的分子束外延生长,分析不同生长温度下对超晶格质量、表面粗糙度的影响。生长一系列晶格匹配2-5.5微米不同波段超晶格,合作研制出的探测器达到较好水平。
2、研究了不同组分GaInAsSb、AlGaAsSb四元材料与衬底晶格匹配的外延生长和掺杂技术。通过分析材料表面形貌、光荧光谱等优化了材料质量。研究了晶格匹配InAsSb三元体材料生长及其深掺杂,制备了InAsSb/GaSb隧道结并测试电阻率等性能。
3、研究了GaAs衬底上大失配AlSb和AlGaSb体材料的外延生长。通过优化生长参数,生长了InAs沟道的高迁移率28000 cm2/(VS)HEMT结构。
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结果表明：
居民地分布格局：
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