论文部分内容阅读
在本论文中合成了噻吩基取代卟啉和卟啉-占吨染料电荷转移体系.中位噻吩基取代卟啉作为一种非常有应用前景的光电功能材料,本文中对于中位噻吩基卟啉合成条件进行了探索,采用了Lindsey方法合成了噻吩基卟啉,并对于它们的吸收光谱、发射光谱及氧化还原电位等性能进行了讨论.中位的富电子噻吩基团对卟啉环有比较明显的供电子作用,与四苯基卟啉相比吸收光谱、发射光谱都发生了明显红移,荧光寿命减小,同时单电子转移氧化电位也有明显降低.在卟啉-荧光素二元体中,光照射下发生了体系内的激发态能量转移,使荧光素部分荧光几乎完全淬灭,卟啉的荧光强度增强.在卟啉-罗丹明B二元体中,罗丹明B荧光强度也有了明显减弱,表明在两种电荷转移体系中存在不同的电荷转移方式.在卟啉-荧光素二元体中络合金属,根据卟啉部分的荧光发射光谱,得出了激发态能量从荧光素转移到卟啉,然后再转移到金属离子,最后回到基态的电荷转移过程的结论.