高压下AlAs、SnSe及GeTe的结构和电输运性质研究

• 作 者: 闫杰娟
• 出 处: 吉林大学
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 高压 结构相变 霍尔效应 电阻率 半导体 金属化

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