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该论文采用射频共溅技术成功地制备了尺寸可控的纳米InAs颗粒镶嵌在SiO<,2> 介质中的复合薄膜.应用多种实验手段对复合薄膜的生长规律、成分、结构、光吸收、光致发光、三阶非线性及电输运性质进行了较为系统的研究.
InAs-SiO<,2>纳米复合薄膜的制备、结构及物性研究
【摘 要】
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该论文采用射频共溅技术成功地制备了尺寸可控的纳米InAs颗粒镶嵌在SiO 介质中的复合薄膜.应用多种实验手段对复合薄膜的生长规律、成分、结构、光吸收、光致发光、三阶非线
【机 构】
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中国科学院固体物理研究所
【出 处】
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中国科学院固体物理研究所
【发表日期】
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1998年期
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