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近年来，随着信息存储技术的快速发展，对具有高密度、高速度、非挥发、低能耗的新概念随机存储器的研究，是一个意义重大并颇具难度的课题。其中，用电场替代磁场或电流来控制磁性以实现信息的高速度、低能耗写入是至关重要的。为了实现这个目标，一个可行并有效的方法就是利用多铁性材料及其磁电耦合效应。然而目前室温下具有较好的磁电耦合性能的单相多铁性材料很少，其磁电耦合系数也比较小；而在铁磁/铁电复合结构中，具有丰富的材料可选择和较大磁电耦合效应，因此有着较好的应用前景，而被广泛地研究。本论文以Co40Fe40B20/Pb(Mg1/3Nb2/30.7Ti0.3O3铁磁/铁电复合多铁异质结构为研究对象，围绕利用电场来调控磁性和磁电阻的课题展开，主要内容体现在以下两个方面：利用超高真空磁控溅射系统在Pb(Mg1/3Nb2/30.7Ti0.3O3单晶衬底上生长非晶Co40Fe40B20薄膜，制备成为多铁异质结构，并用原位加电场的测量磁性技术进行研究。研究发现，在（001）取向的样品中，室温下磁性随电场的变化行为呈现类似铁电Loop的形式，这与前人所报道的以应力为媒介的铁磁/铁电复合结构中所得到的Butterfly形状的调控行为不同。进一步深入而系统的实验研究与理论分析表明：铁电畴的109°翻转与无磁晶各向异性的铁磁薄膜的组合，导致了实验中观察到的这种非挥发的电调控磁性的行为——这是以应力为媒介的电磁调控体系中的一种新机制。此外，由于该结果中磁调控的状态不会随电场的撤销而消失，体现出非挥发的特性，因而具有应用价值。另一方面，由于面内应变的各向异性，我们在（110）取向的样品上，发现了更大的室温下电场调控磁性的能力，进一步研究表明铁磁薄膜的易磁化轴在电场的作用下产生了90°的旋转。利用这种大的电场调控磁性效应的结果，在样品上进一步制备自旋阀结构，进行巨磁电阻的测量，实现了室温下电场控制磁性进而控制磁电阻的结果，这对于电写/磁读式新一代高性能信息存储器件的实现，具有参考价值。