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该文研究了一种新型的SOI结构的单晶硅高温压力传感器,这种压力传感器是由硅片直接键合技术与浓硼终止腐蚀技术相结合制作而成.该文关于单晶硅高温压力传感器的论述分为三个部分.首先使用有限单元法分析软件ANSYS/ED5.4对采用方形应力膜的C型传感器芯片(含一硅杯结构)在应力膜受压力时的受力情况进行了模拟计算,得到了X与Y方向(与方形膜边缘平行或垂直)的应力差在整个传感器芯片上的分布.然后在此基础上结合我们的研究情况优化设计了版图.该文最后一部分还详细论述了这种传感器的制作过程.