并五苯有机小分子薄膜材料与晶体管器件大面积制备研究

来源 :中国科学院研究生院 中国科学院大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shenjing1566
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本论文针并五苯有机小分子薄膜大面积制备这一目前的技术难点,系统的研究了滚筒真空蒸镀方法制备大面积并五苯小分子有机薄膜技术,探索了大面积晶体管列阵集成工艺方案。研究成果将为研究和探讨大面积有机光电薄膜制备工艺和器件集成方案提供扎实的实验和理论指导。   本论文主要内容及研究成果总结如下:   1、本论文简述了本实验室自主研发的有机小分子大面积沉积装置--滚筒真空镀膜系统。验证了该设备制备小分子薄膜的技术和能力。实验证实该设备在一般实验室条件下运转正常,经过6个月实验无故障发生,说明该设备稳定、可靠。   2、围绕新型的滚筒真空镀膜系统,利用数值计算方法,模拟了薄膜在多维运动的圆柱形样品台上的生长情况。重点研究了不同薄膜沉积参数及样品台运动参数和膜厚均匀性的关系。在水平往复运动速率为10 mm/s,旋转速率为1.8 rad/s条件下,当镀膜时间大于500秒时,在300 mm×500 mm面积上薄膜厚度相对标准偏差小于0.5%。   3、利用上述滚筒真空镀膜系统,系统地进行了并五苯薄膜大面积生长实验。研究建立了大面积薄膜沉积均匀性和沉积参数及样品台运动参数之间的关系。在优化的沉积条件下,300 mm×500 mm面积范围内沉积的85 nm厚并五苯薄膜厚度相对标准偏差小于2.7%。同时还研究了滚筒真空镀膜系统在不同沉积速率、不同样品旋转角速度下并五苯薄膜形貌。   4、通过研究介电层表面极化基团对器件迁移率的影响,选择了合适的介电层材料来获得高性能晶体管器件。系统进行了并五苯薄膜晶体管大面积列阵的制备,研究表明使用滚筒真空镀膜系统可以在大面积范围内获得性能均匀的薄膜晶体管器件。结合大面积柔性金属掩模版制作探讨了薄膜晶体管器件大面积制备工艺。
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