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该文采用热电子注入、俄歇电子能谱(AES)分析和红外光谱分析研究等离子化学气相淀积方法(PECVD)制备的富氮SiO<,x>N<,y>薄膜的微观结构和电学特性.
富氮氮氧化硅膜的电子注入研究
【摘 要】
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该文采用热电子注入、俄歇电子能谱(AES)分析和红外光谱分析研究等离子化学气相淀积方法(PECVD)制备的富氮SiON薄膜的微观结构和电学特性.
【机 构】
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华南理工大学
【出 处】
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华南理工大学
【发表日期】
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1999年期
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