【摘 要】
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该论文研究了两种电光探测系统:一种是短波长(0.65μm)激光的GaP外部电光探测系统,另一种是长波长(1.27μm)激光的聚合物涂层法电光探测系统.首次利用腐蚀的方法对塑封集成电
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该论文研究了两种电光探测系统:一种是短波长(0.65μm)激光的GaP外部电光探测系统,另一种是长波长(1.27μm)激光的聚合物涂层法电光探测系统.首次利用腐蚀的方法对塑封集成电路进行了无损坏开盖,在其上旋涂了电光聚合物,在玻璃态转换温度Tg和高电压下进行了无损坏极化,并成功的进行了电光测量,这为聚合物正面入射式涂层法电光测量的实用性提供了实验保障.利用GaP电光技术和聚合物涂层法对模拟电路F007和数字电路TC74HCT112A集成电路进行了电光探测.对GaP外部电光测量系统我们得到了工作电压4V时1um的空间分辨率,对聚合物涂层法,得到了工作电压1V时0.5μm的空间分辨率的测量结果.我们还首次开展了电光探测技术的电压定标的研究,利用不同间距的两个电极进行了信号幅度校准,并对此进行了测量并用计算机进行了模拟,实验与理论符合的比较好.
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