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该文研究了YAG及其掺质YAG(Nd:YAG,Ce、Nd:YAG,Tm:YAG,Cr、TM:YAG,Cr、Tm、Ho:YAG)晶体的生长以及晶体中存在的缺陷.主要是用化学腐蚀剂(磷酸混合液)对晶体样品进行了腐蚀.首次全面而细致地观察了位错腐蚀坑的形貌和分布,以及位错蚀坑列的分布:还测量了样品上位错的平均密度,并与理论计算值作了比较;对所观测到的位错类型、位错线组态作了详细的分析;对位错形成的机制更进一步地进行了探索.从而得到如下主要的结论;生长晶体中的位错类型有随掺质粒子浓度增大和随掺质粒子跟被替代粒子不匹配程度增大而增多的趋势;生长晶体时存在热应力和组分不均分布产生的应力是位错在晶体中产生的主要原因;生长晶体的熔体中的液流不稳定也是位错形成的重要因素;高温长时间退火可以有效降低可消除晶体中的位错.因此通过这些研究可以有效提高晶体质量,对晶体生长有实际指导意义.