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该文以在蓝绿光激光器及光电子器件中具有重要价值的ZnSe和GaAs材料为研究背景,以ZnSe的掺杂与补偿机制研究为重点,对照GaAs中的掺杂问题,运用离散变分-局域密度泛函(DV-LDF)方法及团族模型,系统研究了ZnSe和GaAs中的单杂质,及ZnSe中的本征缺陷和杂质缺陷复合体.
掺杂ZnSe和GaAs的电子结构及补偿机制研究
【摘 要】
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该文以在蓝绿光激光器及光电子器件中具有重要价值的ZnSe和GaAs材料为研究背景,以ZnSe的掺杂与补偿机制研究为重点,对照GaAs中的掺杂问题,运用离散变分-局域密度泛函(DV-LDF)
【机 构】
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清华大学
【出 处】
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清华大学
【发表日期】
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1997年期
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