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目前,在GaN器件制作上还存在很多困难,尤其是p型掺杂水平一直不高.同时,对这一类材料的高温输运特性在研究也不多.该文主要针对这些问题开展了四方面的工作:一是详细分析了GaN材料p型掺杂的问题和机制;二是研究了离子注入掺Mg:GaN的光学性质和能级结构;三是设计制造了一套温霍耳智能测试系统;四是研究了GaN的高温输运性质.