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电吸收调制激光器(EML)易于与其它半导体光电器件单片集成，功能可扩展性强等优点使得它在现代光通信网络中发挥着重要的作用，随着光纤通信网络的发展，电吸收调制激光器必须具有更高的响应带宽，针对电吸收调制激光器的模拟分析一直是研究的热点之一。本论文的主要工作是围绕电吸收调制激光器内部的电耦合和光耦合效应的分析展开的。
电吸收调制激光器的芯片测试中总是不可避免的引入了测试夹具和光探测器的影响，本文在测试集成器件芯片时采用了精确的测试方法，分别通过扩展的open-short-load(OSL)误差校准技术和光外差法扣除了单端探针和光探测器对测量结果的影响，为下一步的实验分析和建模打下了良好的基础。
本文对电吸收调制激光器内部的电耦合和光耦合效应进行了研究。集成光源被看作一个有着两个电端口和一个光端口的三端口器件，通过对三端口器件散射参数的测量和分析，发现当注入DFB激光器的电流很小时，电耦合起主要作用，当电流增大到激光器阈值以上时，光耦合的作用要大于电耦合。
基于集成器件中的电耦合和光耦合效应，本文提出了电吸收调制激光器的小信号等效电路模型，根据实验测得的集成芯片的反射参数及传输参数，通过小信号等效电路仿真模拟，得到电路各元件参数值，不同条件下，模拟结果与实验结果吻合都很好，证明了该等效电路的有效性。以此电路为依据，本文就光电耦合效应对器件高频特性的影响和如何消除DFB激光器中的附加调制的问题进行了讨论。