数模兼容的Bi-CMOS电子电度表ASIC的研究

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该文从电度表的要求出发,对电度表电路结构(包括数字部分和模拟部分)和制造技术等方面进行了研究.该文运用微电子系统"Top-Down"设计方法,首先对电路进行总体结构设计和系统划分,然后对各功能块进行逻辑和电路设计,同时对各功能块进行逻辑和电路模拟. 对其基本单元电路-Bi-CMOS运算放大器的噪声和CMOS模拟开关的导通电阻作了重点分析.模拟电路部分的噪声和失调作为设计重点,较深入地分析了电压源?电流源,振荡器,模拟电路乘法器,反双曲正切函数电路等,给出了优化的结构参数设计.对于数字电路,作者们主要将时序和逻辑作为设计的重点.该文详细地分析了Bi-CMOS工艺的特点,并结合该电路的具体情况,进行了兼容工艺参数的优化和设计,最后设计出了一套简单而可行的Bi-CMOS兼容集成制造技术方案.最后应用2μmp阱Si栅Bi-CMOS工艺进行了工艺流片,得到符合用户要求的电路,并大量推向市场,也证明了设计的正确性.
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