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闪速存储器(Flash Memory)是目前占据统治地位的非易失性半导体存储器(NVSM).它以低功耗,小体积,高密度,可重复擦写等引人瞩目的特性创造了现在的"移动时代".浮栅器件作为闪存中的主流技术被广泛使用,但是当器件尺寸减小到100nm以下时,这种技术遇到很大的挑战.而SONOS器件研究的兴起将可能把闪存的寿命延续到当MOS器件栅长达到极限的时候.该文的主要工作是:1.成功制备出栅长为77nm的基于SONOS结构的Flash器件;2.对栅长从77nm到0.μm和不同底氧厚度的SONOS器件性能和可靠性做了测试与分析;3.对SONOS器件的2一bit现象和衬底偏置对编程的影响进行了研究.