【摘 要】
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该文介绍了一种纳米电子器件：谐振隧穿二极管（RTD）,这是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.纳电子器件RTD利用了新的谐振隧穿传输机理,使器件的开关速度达到
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该文介绍了一种纳米电子器件：谐振隧穿二极管（RTD）,这是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.纳电子器件RTD利用了新的谐振隧穿传输机理,使器件的开关速度达到几个ps,它具有速度快,功耗低,完成特定功能减少电路的复杂性等特点.在传统CMOS器件逐步趋近于尺寸限制之际,包括RTD等的纳电子器件将越来越显示出其重要性.该文详细介绍了谐振隧穿二极管的工作原理及其设计.我们在理论上对双垒单阱结构进行了分析,详细讨论了超晶格层对器件特性的影响,并在此基础上进行设计,制作和测试,并对测试结果进行了分析.同时还介绍了空气桥工艺的RTD和改性的RTD,也介绍了几个以RTD为基础的电路.
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