【摘 要】
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随着SOI技术的不断成熟,SOI器件模型参数提取成为SOI工艺平台不可或缺的组成部分.该文对1.2μm CMOS/SOI模型参数提取进行了研究.论文的工作主要包括以下几点:(1)总结和分析
【出 处】
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中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所
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随着SOI技术的不断成熟,SOI器件模型参数提取成为SOI工艺平台不可或缺的组成部分.该文对1.2μm CMOS/SOI模型参数提取进行了研究.论文的工作主要包括以下几点:(1)总结和分析了部分耗尽SOI MOSFET特有的器件特性,主要是SOI特有的浮体效应,包括:kink效应,瞬态效应和寄生双极晶体管效应,以及抑制浮体效应的方法.(2)分析、比较了电路模拟中常用的几种MOSFET公开模型,以及今后的模型发展趋势.特别比较了BSIMPD、FD、DD三类S0I模型的不同之处.(3)研究S0I模型参数提取需要的各种测试结构,并完成了版图设计,以及模型参数提取专用芯片的流片.(4)研究了模型参数提取需要测量的数据及数据格式的转换.主要包括器件尺寸的选择、测试条件的确定和数据测试,数据格式转换程序的编写,格式转换程序以把txt文本格式的测试结果自动转换为UTMOST可以读取的文件格式.(5)研究了模型参数提取使用的提取和优化策略、直流模型参数提取的基本流程、UTMOST软件提取的模型参数用于Hspice模拟得到的结果及其修正.由于UTMOST和Hspice中的BSIMDD模型方程不是完全一致,使得UTMOST提取到的参数在Hspice中的模拟结果出现很多问题,通过对模型参数的手工修正,基本上使模型参数达到了数字电路模拟的精度要求.最后讨论了解决短沟道S0INMOSFET中出现的kink效应的几种方法.
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