【摘 要】
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单壁碳纳米管是当前纳米科技的研究热点,其许多应用特别是纳米电子器件的实现取决于材料的制备和可控组装上.该文用化学气相沉积法(CVD)制备了单壁碳纳米管(SWNTs),并对单壁
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单壁碳纳米管是当前纳米科技的研究热点,其许多应用特别是纳米电子器件的实现取决于材料的制备和可控组装上.该文用化学气相沉积法(CVD)制备了单壁碳纳米管(SWNTs),并对单壁碳纳米管进行了提纯和分离研究.以甲烷作为碳源气体,硝酸铁和氧化镁的混合粉末作为催化剂,在氩气环境中成功制备了质量较好的单壁碳纳米管.对SWNTs样品提纯处理结果表明,盐酸可以除去绝大部分金属氧化物催化剂,而稀硝酸的回流处理可以有效去除相当量的碳杂质,并可以对SWNTs束进行一定程度的剥离.采用H<,2>O<,2>/H<,2>SO<,4>混酸氧化加超声方法可以将SWNTs有效剪裁,由此可以获得分离的SWNTs.将长风百纳米至几微米、直径约0.5nm-1.5nm的单根SWNTs组装在硅片表面,这种组装有很好的重复性和可控性.氧化和超声处理过程中,SWNTs会引入缺陷,重复处理则导致更多缺陷的产生.此外,在硅表面直接生长单壁碳纳米管方面也进行了探索并取得一定成果.
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