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该文研究了工艺条件对电化学方法制备银纳米膜的影响,并测试了银纳米膜的各种性能,初步探讨了电沉积方法制备银纳米膜的机理.综合对比研究了甲磺酸银和硝酸银两种电解液体系,发现相同条件下,采用硝酸银体系时,沉积电流较大,纳米膜的生长速率较快,获得的银纳米膜的颗粒细小、分布均匀.对于硝酸银体系,沉积电流随浓度、电压、温度的升高而增大,随pH值增加而减小,AFM、TEM测试表明,颗粒的大小随浓度、电压、温度、pH值的升高而增大,但在电压或浓度较大时,电流效率较低.工艺研究确定制备银纳米膜的最佳工艺条件为:硝酸银浓度5mmol/L、电解电压8V、pH值为3.0、表面活性剂浓度0.2g/L,获得的银纳米膜的平均颗粒大小约20nm.表面活性剂的存在是电沉积方法制备银纳米膜必不可少的条件.对银纳米膜,XPS测试显示了银元素的特征峰;用四探针测试仪测试发现银纳米膜的电导率比块体银低两个数量级;银纳米膜的熔点也降低;XRD测试发现,与块体银的衍射峰相比,银纳米膜中银的衍射峰宽化,由谢乐公式计算平均晶粒大小;银纳米膜的紫外-可见吸收光谱峰发生"蓝移",温度升高吸光度增强,但温度对吸收峰的位置无影响,化学镀银的吸光度远比纳米膜强;用椭圆偏振仪测试了银纳米膜的厚度及不同波长下的复折射率、复介电常数,得出在波长532nm时,<~>n=1.9993+0.20257i,ε=3.959+0.810i,R=0.286,计算厚度约230nm;首次用Z-扫描方法测试发现银纳米膜具有非线性折射光学特性,计算出非线性折射克尔系数n<,2>=2.34×10<-11>(esu).电化学分析表明,在达到极限扩散电流之前,电沉积的控制步骤是由扩散和电化学反应过程共同控制,达到极限电流以后,扩散才成为控制步骤.塔菲尔曲线外推法求出电化学方法制备银纳米膜的交换电流密度值0.001A/cm<2>,电化学反应速率常数,K=1.5×10<-7>cm/s.对银纳米膜的形成机理研究表明,与晶核的长大相比,晶核的形成更易受到工艺条件的影响.表面活性剂浓度大时,生成的膜是以枝晶形式生长;温度低时,生成的纳米膜颗粒细小、分布均匀;当温度或电压变大时,颗粒呈六角形;而当温度和电压都变大时,纳米膜晶粒更易于以须状形式生长.