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本论文对PZT基压电陶瓷进行了研究。其中包括PZTMN三元系压电陶瓷材料、PZTMN系压电陶瓷中添加第二相氧化物的复合材料PZTMN/氧化物和在复合材料中进行A位掺杂的(Pb1-xSrx)ZT-PMN系列复合材料PSZTMN/氧化物三个系列。通过XRD、SEM、BET等方法,研究了B位先驱体法合成钙钛矿PZT基陶瓷的工艺和反应机理,并对材料的电学性能和力学性能进行了测试和研究。采用了改进后的B位先驱体合成方法,即使用亚微米极粉料,使先驱体合成温度由1350℃降低到1190℃。合成先驱体合成