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该论文的主要工作和结果如下:1在新鲜解理的云母基底上制备纳米级平整的金膜,指出合适的退火温度有利于提高金膜的平整度,并对整流器件的电极工艺进行了有益的探索;2开发出D-π-A型结构具有整流特性的有机整流分子材料对一二甲胺基苯基乙烯三腈(MR-1),对一二苯胺基苯基乙烯三腈(MR-2),以其制成的整流器件Cu/MR-1/Ag整流比可达10000,其它器件M/MR-X/M(M为Ag或Cu)的整流比可达100以上,此外还发现外加电场有利于改进器件性能;3开发出整流分子材料(4-(4-(三腈基乙烯基)苯基)哌嗉—1—基)二硫甲氨酸钠(PPSC1),使之与金膜自组装形成取向有序的整流分子膜,得到了整流比为1.89的器件Au/PPSC1/Au,并对结果进行了分析;4开发出整流分子材料二硫化二((4-(4-(三腈基乙烯基)苯基)哌嗉—1—基)硫羰)(PPSC2),并利用自组装方法制备了PPSC2单分子层厚度的膜,分子基整流器的最高整流比1000,整流曲线与传统的PN结方程类似;5根据器件的整流方向,探讨了几种分子整流模型;6开发出有机分子材料ONCN,以其制成的器件Ag/ONCN/A1具有一定的电擦写特性,阈值电压6V左右,跃迁时间小于100ns,弛豫时间小于5us,得到的薄膜具有较好的热稳定性.7开发出另一种新型有机分子材料(3,9-双(10-(二氰基亚甲基)-9-亚甲蒽基)-2,4,8,10-四硫杂螺[5,5]十一烷)(AOSCN),该分子材料与Cu络合构成的电双稳薄膜Cu-AOSCN,阈值电压6V左右,跃迁时间小于30ns,弛豫时间小于1us.发现薄膜具有热可擦特性,在一定的条件下,还发现器件具有稳定的极性记忆效应,根据电路模拟,推测在正反向电场作用下电容变化可能导致极性记忆效应.