【摘 要】
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该论文基于量子动力学基本原理对半导体中光生载流子的超快退相和能量弛豫进行了比较系统的研究,讨论了量子相干控制光电流的基本原理,具创新性的主要成果如下：（1）首次明确地讨
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该论文基于量子动力学基本原理对半导体中光生载流子的超快退相和能量弛豫进行了比较系统的研究,讨论了量子相干控制光电流的基本原理,具创新性的主要成果如下：（1）首次明确地讨论了光激发半导体（包括量子阱）的退相时间的存在性及其意义.（2）我们研究了价带类|p＞波函数的各向异性对空穴散射率的影响.（3）该论文根据密度矩阵理论详细分析了相干控制光电流的机制,讨论了载流子分布的不对称性如何依赖于光偏振方向、位相差以及材料的退相特性.对文献中用量子力学微扰论得到的载流子分布的不正定性作出修正.（4）根据费曼图形导出了电流密度干涉项的瞬态表达式,研究了起于双光子吸收和单光子吸收路径之间的干涉所产生电流的瞬态过程.并给出了两种极端情形下,即平面波挖掘和δ脉冲近似,干涉项的解析表达式.
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