【摘 要】
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该文主要介绍作者在准一维纳米材料的制备、生长条件和生长机制等方面的研究工作.该文首先介绍了利用CVD方法制备超纯GaN纳米线以及GaO纳米带的最新研究结果.在研究GaN纳米线
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该文主要介绍作者在准一维纳米材料的制备、生长条件和生长机制等方面的研究工作.该文首先介绍了利用CVD方法制备超纯GaN纳米线以及Ga<,2>O<,3>纳米带的最新研究结果.在研究GaN纳米线显微结构和生长参数的基础上,提出了以VLS机制为基础的GaN纳米线生长机制,总结了GaN纳米线的成核理论和最优化条件选择.利用简单物理蒸发方法得到了Ga<,2>O<,3>纳米线和纳米带,使用透射电镜（TEM）和高分辨透射电镜（HRTEM）研究了其显微结构.进行了X衍射（XRD）、电子能量损失谱（EELS）等实验的研究,探讨Ga<,2>O<,3>纳米线的生长机制.
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