【摘 要】
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该文就力图用全离子注入的方法去制造一种沟道长度仅有80nm(有效沟道长度50nm)的NPN型VDCFET.文章对离子注入的搭配、器件的制作工艺、电学特性的测量等相关问题进行了深入研
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该文就力图用全离子注入的方法去制造一种沟道长度仅有80nm(有效沟道长度50nm)的NPN型VDCFET.文章对离子注入的搭配、器件的制作工艺、电学特性的测量等相关问题进行了深入研究,主要分为以下几部分内容.1.VDCFET工作原理的详细介绍.VDCFET的最大特点就是垂直沟道偶载场效应.文章从它的器件物理模拟和实际工作过程两方面进行论述,通过论证发现这种器件无论是在PN结的理论方面还是工作特性方面都有重大创新.2.80nm薄接触区的离子注入搭配.采用高斯模型,对离子注入的快速退火行为进行研究,通过三次离子注入实验,摸索出离子注入一些规律,通过对模型的不断修正,搭配出80nm的薄接触区(有效沟道长度为50nm).3.VDCFET制作技术的研究.安全采用离子注入和双极制作工艺,器件制作上分三步走:第一步,N型硅衬底上的NPN型器件制作.初步验证了离子注入的合理搭配和VDCFET器件的可行性.第二步,P型硅衬底上NPN型VDCFET的制备.这时对上述版图的一次全面优化设计,提高了器件性能.第三步,SOI衬底上的NPN电路,在该衬底上制成了NPN型VDCFET反相器和双稳电路.4.VDCFET的电学特性测量.分别测量了上述器件的输出、输入特性,对P型硅衬底VDCFET进行了小信号电流测量,计算了器件的跨导.
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