【摘 要】
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该论文以现代CMOS电路中愈来愈突出的噪声问题为研究对象,从理论上研究了器件噪声的机理,根据不同模块间干扰的具体表现,研究了电路耦合噪声的机理并给出了深亚微米集成电路
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该论文以现代CMOS电路中愈来愈突出的噪声问题为研究对象,从理论上研究了器件噪声的机理,根据不同模块间干扰的具体表现,研究了电路耦合噪声的机理并给出了深亚微米集成电路中的噪声解析模型,提出了具体的噪声优化电路设计方法学和相应的优化实例.在器件噪声机理研究中,针对模拟电路中器件噪声的影响和低噪声应用场合,研究了器件的热噪声、l/f噪声以及阻性多晶硅栅上的噪声,衬底电阻R<,b>相关的热噪声,以及与漏源反偏PN节相关联的散粒噪声,并已将其在模拟电路的噪声计算和低噪声分析中加以等效,给出基于器件的低噪声化一般思路和等效过程.在深亚微米集成电路的噪声模型建立过程中,研究了以数字电路为主体噪声耦合方式以及不同单元电路抗噪声建模方法,依据深亚微米噪声的表现形式,给出了具体的分析方法学和优化原则.在电路的噪声优化设计方法学成型过程中,以现代CMOS电路中表现突出的动态电路噪声问题和数模混合信号电路中的同步开关噪声及相关的衬底噪声为研究实例,提出新的抗噪声动态电路形式,用全加器对此进行了验证;对同步开关噪声作了深入分析,仿真结果表明同步开关噪声与开关数目具有亚线性关系.最后,给出了衬底噪声优化的实用方法.
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