PSN-PZT压电陶瓷低温烧结研究

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本文根据开关型叠层微位移驱动器对压电陶瓷材料的使用要求,即在较低的烧结温度下有高的机电耦合系数kp、高的压电应变常数d33、高的相对介电常数εr和适中的机械品质因数Qm,从掺杂改性、添加助烧剂和烧结工艺等几个方面对三元系0.02Pb(Sb0.5 Nb0.5)O_3-0.98 Pb (Zr0.51Ti0.47)O_3 (简称为PSN-PZT)陶瓷进行了研究,以期满足叠层微位移驱动器的使用。采用传统固相反应法制备陶瓷粉料,通过Fe~(3+)和Ba~(2+)离子的掺杂,研究不同工艺对PSN-PZT
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