【摘 要】
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本文研究了中子辐照后的直拉单晶硅片的内吸杂工艺,以及通过短时间的三步退火就能得到很理想的清洁区,由于中子辐照产生大量的间隙型缺陷作为氧沉淀的核心,促进了中子辐照直
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本文研究了中子辐照后的直拉单晶硅片的内吸杂工艺,以及通过短时间的三步退火就能得到很理想的清洁区,由于中子辐照产生大量的间隙型缺陷作为氧沉淀的核心,促进了中子辐照直拉硅中的氧沉淀的形成。辐照缺陷同硅中氧的相互作用的结果是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位。这种工艺较传统的本征吸除工艺有很多优点,如热处理时间短,不会引入其他杂质和表面缺陷,由于退火时间短硅片不易发生翘区。实验表明中子辐照后的硅片经过1100oC3h+600oC2h+1100oC4h三步退火后可以得到50μm以上的清洁区宽度,效果很显著,因此这种工艺具有很广阔的前景。 本文另一部分工作研究了中子辐照直拉单晶硅经高温退火对氧化诱生缺陷的影响。样品高温退火后对硅片进行腐蚀观察其解理面并进行缺陷密度的测量,同时进行红外常温测量得到氧含量的变化。实验结果表明:随着退火时间的延长,缺陷形貌愈加明显,直至十小时形成规则三角形位错。红外光谱测量得出氧含量起初一小时升高随后几小时持续降低,缺陷密度显示起初缺陷雏形密度持续升高,当到达6小时后位错基本形成氧含量降低位错密度升高。
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