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该文通过稳态极化曲线法、循环伏安法、电位阶跃法,结合X射线衍射、扫描电子显微镜等近代结构测试技术,研究了硫脲及其衍生物对铜阴极电沉积的影响,发现硫脲在铜电极表面具有较强的吸附作用,在硫脲浓度较低时(小于10ppm),吸附遵守Temkin吸附等温式;在硫脲浓度较高时(大于10ppm),吸附遵守Frumkin吸附等温式,苯基硫脲的吸附奠定Langmuir吸附等温式;丙烯基硫脉遵守Temkin吸附等温式.随硫脲浓度的增加,极化作用逐渐增强;电极反应的交换电流密度逐渐减小.同时还发现,硫脲参与了电极反应过程,生成了两种还原电位不同的电活性物质,并形成"前置化学反应"过程;当加入硫脲时,变为"持续成核"过程.并通过计算求得,当添加20ppm硫脲时,成核数密度最大.X射线衍射的测试结果表明,随着硫脲加入量的增加,铜沉积的晶面生长择优取向由(220)转为"无择优取向",最后转变为(111)取向.扫描电镜的测试结果表明,随着硫脲浓度的增加,铜阴极沉积的颗粒逐渐细化,在添加20ppm硫脲时,变为"片状晶体",沉积表面最平整;但浓度太高时(50ppm)有"瘤状结晶"生成.沉积的横截面测试表明,随硫脲浓度的增加,铜沉积的生长结构类型逐渐由"FT型"(小于10ppm时)变为FT、BR与UD型的混合型(20ppm时,)最终变为"UP型"(浓度为50ppm时).各种试验方法的结果表明,当电解液中用硫脲作为添加剂时,它单独使用的最佳浓度为20ppm左右.