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硅基-金属/绝缘体/半导体隧道发光二极管(MISLETD)是一种有前途的、廉价的、适用于硅集成电路的光源,有希望在集成光电子学领域获得应用.该文对硅基MISLETD的发光理论、样品制备的关键技术和工艺流程、发光性能特性和发光机理进行了研究,取得了一些有意义结果.
硅基MIS隧道发光二极发光性能和电流-电压特性研究
【摘 要】
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硅基-金属/绝缘体/半导体隧道发光二极管(MISLETD)是一种有前途的、廉价的、适用于硅集成电路的光源,有希望在集成光电子学领域获得应用.该文对硅基MISLETD的发光理论、样品
【机 构】
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东南大学
【出 处】
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东南大学
【发表日期】
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1999年期
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