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【摘 要】
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ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子结合能为60meV，由于ZnO较高的禁带宽度和大的激子束缚能，可以用作理想的紫外波段的光电子器
【机 构】
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南开大学
【出 处】
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南开大学
【发表日期】
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2012年期
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