【摘 要】
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该文对Si/GeSi应变外延的生长机理、表面动力学及生长方法等问题进行了研究.搞清了原子在不同晶面上迁移率的差别.研制出了Si/GeSi脊形量子线.在大偏角Si(100)衬底上生长GeSi
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该文对Si/GeSi应变外延的生长机理、表面动力学及生长方法等问题进行了研究.搞清了原子在不同晶面上迁移率的差别.研制出了Si/GeSi脊形量子线.在大偏角Si(100)衬底上生长GeSi或Ge的研究发现,在GeSi(或Ge)外延层中的失配应力可明显地改变稳态下的表面组态、表面形貌.衬底基片的偏角大小和生长条件直接决定了应力释放的方式和途径.另外,作者发展了降低驰豫GeSi合金层中位错密度的方法——低温缓冲层方法.在量子线的制备过程中,作者采用了在衬底上刻图形的方法,用固源分子束外延技术生长Si/GeSi脊形量子线和V形量子线结构.
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